ReRAM【Resistive RAM】

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抵抗変化式メモリーという次世代メモリーのことです。電源を切ってもデータが消えない半導体メモリーの一種で、電圧を加える抵抗の違いによって情報を記録する仕組みでできています。素子構造が簡単なため、回路の微細化で性能を上げやすく比較的低コスト化が可能です。消費電力も低いので、携帯情報端末やパソコンの記憶装置などでの採用が期待されています。